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MS9N80HGT1

Maspower MS9N80HGT1 N沟道 MOSFET 800V 9A 1.3Ω TO-220F

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描述
MS9N80HGT1,800V 9A 1.3Ω,TO-220F。低栅荷、低导通电阻、雪崩测试、低损耗,适 PFC、UPS、开关电源等。
商品型号
MS9N80HGT1
商品编号
C55042361
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.896克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@10V
耗散功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)39nC
输入电容(Ciss)1.34nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)130pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF