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MS200N10HIB0
Maspower MS200N10HIB0 N沟道 低压大电流MOSFET 100V 200A 6.8mΩ TO-3PB
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- 描述
- MS200N10HIB0 低压N沟道MOSFET 100V 200A 6.8mΩ TO-3PB。超低导通电阻、RDS(on)max=8.5mΩ@VGS=10V，大电流、雪崩测试、低栅荷，适 SMPS、UPS、高频、同步整流。
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS200N10HIB0
- 商品编号
- C55042359
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.923333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 660pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |