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MS7N80HGD0
Maspower MS7N80HGD0 高压N沟道 功率 MOSFET 80V 7A 1.9Ω TO-252
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- 描述
- MS7N80HGD0，80V 7A 1.9Ω 通用 高压MOSFET，TO-252。低阻、高速、雪崩测试，适用于开关电源、电子镇流器。
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS7N80HGD0
- 商品编号
- C55042315
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.578克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |