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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G80P03D5

1个P沟道 耐压:30V 电流:55A

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G80P03D5
商品编号
C5162382
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@4.5V,30A
耗散功率(Pd)63W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
输入电容(Ciss)5.386nF@15V
反向传输电容(Crss)673pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

G50N03D5采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):30V
  • 漏极电流(ID,栅源电压VGS = 10V时):50A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 4mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 7mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF