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G20P10KE
1个P沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 特性：- 漏源电压（VDS）：-100V。漏极电流（ID，VGS = -10V时）：-20A。漏源导通电阻（RDS(ON)，VGS = -10V时）：< 116mΩ。100%雪崩测试。符合RoHS标准。静电放电（HBM）> 7.0kV。应用：- 电源开关。DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G20P10KE
- 商品编号
- C5162389
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 116mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.354nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。