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G2K8P15K
1个P沟道 耐压:150V 电流:12A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：< 310mΩ（VGS = -10V）。 100%雪崩测试。 RoHS合规。应用：电源开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2K8P15K
- 商品编号
- C5162401
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 953pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
GT007N04TL采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：40V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS）= 10V时）：150A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：< 1.5mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 4.5V时）：< 2mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器