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STD20NF10T4
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- 采用独特的STripFET工艺实现的该MOSFET系列专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合用作电信和计算机应用的先进高效、高频隔离式DC-DC转换器中的初级开关。它也适用于任何对栅极驱动要求较低的应用
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD20NF10T4
- 商品编号
- C5162412
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.548克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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