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GT007N04TL
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT007N04TL
- 商品编号
- C5162403
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.363nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.511nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH1908B采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 80V，漏极电流（ID） = 85A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7.8 mΩ（典型值：6.2 mΩ）
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 专为转换器和电源控制设计
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源