温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G120P06M
1个P沟道 耐压:60V 电流:120A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G120P06M
- 商品编号
- C5162393
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 673pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 946pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |