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GT700P08T
1个P沟道 耐压:80V 电流:25A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT700P08T
- 商品编号
- C5162397
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
先进沟槽技术 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换