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G45P40T
1个P沟道 耐压:40V 电流:45A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G45P40T
- 商品编号
- C5162392
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.269nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 281pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 343pF |
商品概述
G35P04D5采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于多种场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -40V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10 V时) -45A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10 V时) < 16 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5 V时) < 28 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器