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GT025N06AM6
1个N沟道 耐压:60V 电流:170A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT025N06AM6
- 商品编号
- C5162386
- 商品封装
- TO-263-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 215W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.058nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT700P08T采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:60V
- ID(VGS = 10 V 时):170A
- RDS(ON)(VGS = 10 V 时):< 2mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5V 时):< 2.5mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器