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G120P06T
1个P沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- 特性：漏源电压（VDS）：-60V。 漏极电流（ID，VGS = -10V时）：-120A。 漏源导通电阻（RDS(ON)，VGS = -10V时）：< 8.5mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：电源开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G120P06T
- 商品编号
- C5162384
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 277W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.674nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 671pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G65P06K采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10 V时） -65A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10 V时） < 18 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器