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G29
1个P沟道 耐压:15V 电流:4.1A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G29
- 商品编号
- C5162380
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
G120P06T采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各种场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -15V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -12 V时) -4.1A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5 V时) < 30 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -2.5V时) < 40 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -1.8V时) < 56 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器