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G35P04D5
1个P沟道 耐压:40V 电流:35A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G35P04D5
- 商品编号
- C5162376
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G20P10KE采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS：-100V
- ID（VGS = -10V时）：-20A
- RDS(ON)（VGS = -10V时）：< 116mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- ESD（HBM）> 7.0KV
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器