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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G35P04D5

1个P沟道 耐压:40V 电流:35A

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G35P04D5
商品编号
C5162376
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.28nF
反向传输电容(Crss)285pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

G20P10KE采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS:-40V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-35A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 14mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 20mΩ
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器