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G50N03D5
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G50N03D5
- 商品编号
- C5162375
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.661nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 316pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 338pF |
商品特性
- 30V/3.2A，VGS = 10 V时，RDS(ON) = 35 mΩ（最大值）
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 40 mΩ（最大值）
- VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 55 mΩ（最大值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT - 23表面贴装封装
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统