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G65P06K
1个P沟道 耐压:60V 电流:65A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G65P06K
- 商品编号
- C5162368
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.557nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- CRM(CQ)超结技术
- 导通状态下具有更低的导通电阻×面积（Ron*A）性能，提升导通效率
- 极低的品质因数（FOM），效率更高
- 超快体二极管
- 符合JEDEC工业级应用标准
应用领域
- LED/LCD/PDP电视和显示器照明
- 太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统
- 充电器
- 电源