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G65P06F
1个P沟道 耐压:60V 电流:65A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G65P06F
- 商品编号
- C5162369
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.477nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-低输出电容储能Eoss-静电放电保护-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = 60 V
- 漏极电流ID = 46 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 9.5 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 13.3 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）