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SK03P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 特性：-60V / 3A，RDS(ON) ≤ 92mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) ≤ 125mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽单元设计。 高速开关。 SOT-89 / SOT-23 表面贴装封装。应用：便携式电器。 电池管理
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK03P06
- 商品编号
- C5160043
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FH8913P是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。FH8913P符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有EAS能力，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 14 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 23 mΩ
- VDS = -30 V，ID = -11 A
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具有EAS能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关