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SKG85G06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:130A
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- 描述
- 分裂栅极沟槽 MOSFET 技术 出色的散热封装
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SKG85G06A
- 商品编号
- C5160058
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
商品特性
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% ∇VDS 测试
应用领域
-DC-DC 转换器-电源管理功能-同步整流应用