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SKQ18P02AD
1个P沟道 耐压:20V 电流:18A
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- 描述
- 特性：20V P沟道MOSFET高密度设计。 超低导通电阻。 导通电阻RDS(ON) = 9mΩ（典型值），栅源电压VGS = -4.5V。 导通电阻RDS(ON) = 13mΩ（典型值），栅源电压VGS = -2.5V。 可靠耐用。应用：便携式设备和电池供电系统的电源管理。 其他通用应用
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SKQ18P02AD
- 商品编号
- C5160059
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 20V P沟道MOSFET高密集设计。
- 超低导通电阻。
- RDS(ON) = 9 m Ω(典型值),VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 13 m Ω(典型值),VGS = -2.5 V
- 可靠且耐用。
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统的电源管理及其他通用应用。
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