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PMV37EN
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- 特性：30V/3.2A，RDS(ON) = 35mΩ (最大值) @VGS=10V，RDS(ON) = 40mΩ (最大值) @VGS=4.5V，RDS(ON) = 55mΩ (最大值) @VGS=2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用：电源管理-便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- PMV37EN
- 商品编号
- C5160051
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
G65P06F采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于多种场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：-60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时）：-65A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 18mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关-DC/DC转换器