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SK3415K
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：20V/-4.0A, RDS(ON) = 60mΩ(MAX) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 70mΩ(MAX) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 ESD保护。 SC-59表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK3415K
- 商品编号
- C5160052
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -25℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 20V/-4.0A，在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 60mΩ（最大值）
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 70mΩ（最大值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 静电防护
- 表面贴装封装采用SC-59
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统