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SKQ90N03AD
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- SK Q90N03AD 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SKQ90N03AD
- 商品编号
- C5160057
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@15V | |
| 工作温度 | -25℃~+150℃ |
商品概述
SKQ90N03AD是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOST沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 4.8mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 9mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 静电保护：2000V
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- 数码相机
- PDFN5060