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SK22P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:22A
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- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK22P04
- 商品编号
- C5160046
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH4604D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 25A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 19 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 24 mΩ
- P沟道：
- 漏源电压VDS = -40V，漏极电流ID = -21A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 34 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 47 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- H桥电路
- 逆变器
- 无刷电机