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NTR2101P
1个P沟道 耐压:18V 电流:3A
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- 描述
- 特性：18V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(最大值) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(最大值) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- NTR2101P
- 商品编号
- C5160050
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
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