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SK359AN
N沟道增强模式MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- 特性：30V / 3.0A，RDS(ON) = 45mΩ（最大值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 50mΩ（最大值）@VGS = 4.5V。 RDS(ON) = 65mΩ（最大值）@VGS = 2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 采用SOT-23表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK359AN
- 商品编号
- C5160044
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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