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CSD87355Q5D
CSD87355Q5D
- 描述
- CSD87355Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87355Q5D
- 商品编号
- C553142
- 商品封装
- LSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.86nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD87355Q5D NexFET功率模块是专为同步降压应用优化设计的产品，在5mm×6mm的小尺寸封装内具备大电流、高效率和高频工作能力。该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化，与外部控制器/驱动器提供的任何5V栅极驱动配合使用时，可提供高密度电源的灵活解决方案。
商品特性
- 半桥功率模块
- 25A电流下系统效率达92.5%
- 最高支持45A工作电流
- 高频工作能力（最高1.5MHz）
- 高密度SON 5mm×6mm封装尺寸
- 针对5V栅极驱动优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 无铅端子电镀
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 大电流、低占空比应用
- 多相同步降压转换器
- 负载点（POL）DC-DC转换器
- IMVP、VRM和VRD应用