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CSD25213W10
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
- 描述
- CSD25213W10 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25213W10
- 商品编号
- C553145
- 商品封装
- DSBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 478pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.1pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
This device is designed to achieve the lowest on-resistance and gate charge within a package with an ultra-low height and excellent thermal characteristics in the smallest possible form factor.
商品特性
- Ultra-low gate charge (Qg) and gate-drain charge (Qgd)
- Small package size: 1 mm × 1 mm
- Low height (0.62 mm in height)
- Lead-free
- Gate-source voltage clamping
- Gate electrostatic discharge (ESD) protection
- Compliant with RoHS environmental standards
- Halogen-free
应用领域
- Battery management
- Load switching
- Battery protection