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CSD25213W10
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
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- 描述
- CSD25213W10 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25213W10
- 商品编号
- C553145
- 商品封装
- DSBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 478pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小尺寸封装 1mm × 1mm
- 低高度(高度为 0.62mm)
- 无铅
- 栅 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护