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CSD23203W
1个P沟道 耐压:8V 电流:3A
- 描述
- CSD23203W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23203W
- 商品编号
- C553146
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 914pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 133pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 391pF |
商品概述
这款 -8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1×1.5mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻 RDS(on)
- 小尺寸
- 低厚度,0.62mm 高
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护