CSD87312Q3E
2个N沟道 耐压:30V 电流:27A
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描述
CSD87312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD87312Q3E商品编号
C553144商品封装
VSON-8-EP(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.063克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 27A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 31mΩ@4.5V,5A | |
功率(Pd) | 2.5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.3nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 960pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
配置 | 共源 |
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