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CSD87312Q3E
2个N沟道 耐压:30V 电流:27A
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- 描述
- CSD87312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87312Q3E
- 商品编号
- C553144
- 商品封装
- VSON-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
商品特性
- 共源连接
- 超低漏极到漏极导通电阻
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器 / USB 输入保护