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CSD87312Q3E

环保标识
  • 2个N沟道 耐压:30V 电流:27A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    CSD87312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 品牌名称TI(德州仪器)
  • 商品型号

    CSD87312Q3E
  • 商品编号

    C553144
  • 商品封装

    VSON-8-EP(3x3)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.063克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)27A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)31mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)960pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)12pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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