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DOZ4614D
采用先进SGT和Trench技术的N沟道和P沟道MOSFET，低栅极电荷、低导通电阻、散热好
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- 描述
- N+P管/40V/20A/17MΩ/(典型14MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ4614D
- 商品编号
- C54110293
- 商品封装
- DFN-8D(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 346pF |
商品概述
该MOSFET系列的特点是，N沟道器件采用先进的SGT技术制造，P沟道器件采用沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于广泛的应用领域。
商品特性
- N沟道：VDS = 40V，ID = 20A，在VGS = 10V时RDS(ON) < 17mΩ（典型值：13mΩ）
- P沟道：VDS = -40V，ID = -20A，在VGS = -10V时RDS(ON) < 50mΩ（典型值：38mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3