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DOZ4614E
N+P通道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷、低导通电阻、散热好
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- 描述
- N+P管/40V/22A/20MΩ/(典型14MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ4614E
- 商品编号
- C54110294
- 商品封装
- DFN-8D(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道：VD5 = 40V，ID = 22A，RDS(ON) < 20mΩ（VG5 = 10V，典型值：14mΩ）
- P沟道：VD5 = -40V，ID = -22A，RDS(ON) < 26mΩ（VG5 = -10V，典型值：21mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3