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ZH014T2G-L

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描述
SGT2工艺/N管/100V/35A/14MΩ/(典型11MΩ)
商品型号
ZH014T2G-L
商品编号
C54110310
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.297667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)312pF

数据手册PDF