我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
ZH012T2G-L实物图
  • ZH012T2G-L商品缩略图
  • ZH012T2G-L商品缩略图
  • ZH012T2G-L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZH012T2G-L

ZH012T2G-L

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
SGT2工艺/N管/100V/45A/12MΩ/(典型9MΩ)
商品型号
ZH012T2G-L
商品编号
C54110311
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.066克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)31pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)798pF

数据手册PDF