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ZE017DTG

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描述
SGT2工艺/N+N管/60V/20A/20MΩ/(典型15.6MΩ)
商品型号
ZE017DTG
商品编号
C54110316
商品封装
DFN-8D(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.4264克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))15.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)16.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)605pF
反向传输电容(Crss)6.5pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)195pF

数据手册PDF