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ZC2R2TG

采用先进SGT技术的N沟道MOSFET,低栅极电荷,散热良好

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描述
SGT2工艺/N管/30V/95A/2.5MΩ/(典型2MΩ)
商品型号
ZC2R2TG
商品编号
C54110306
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.4803克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V
耗散功率(Pd)59.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)36nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.1nF
反向传输电容(Crss)86pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.406nF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF