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ZH025T2G-L

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描述
SGT2工艺/N管/100V/25A/23MΩ/(典型18MΩ)
商品型号
ZH025T2G-L
商品编号
C54110308
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.066克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)17.4W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)700pF
反向传输电容(Crss)5.1pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)179pF

数据手册PDF