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ZD013DNG
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N+N管/40V/28A/15MΩ/(典型11MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZD013DNG
- 商品编号
- C54110301
- 商品封装
- DFN-8D(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4609克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（Ron）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 28A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择