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ZC015DP2G
双P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术和设计，具备低栅极电荷和出色导通电阻，适用于多种应用
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- 描述
- P+P管/30V/25A/15MΩ/(典型11MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZC015DP2G
- 商品编号
- C54110304
- 商品封装
- DFN-8D(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4598克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 159pF |
商品概述
这款双P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -25A，当VG S = -10V时，RDS(ON) < 15mΩ（典型值：12mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热良好
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