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HSL10P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- HSL10P06是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSL10P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSL10P06
- 商品编号
- C5128193
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.431nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷：Q_SW = 6.0 nC（典型值）
- 小输出电荷：Q_oss = 16 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.4 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低泄漏电流： IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 40 V）
- 增强型：V_th = 1.4 至 2.4 V（VDS = 10 V， ID = 0.2 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器