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HSBB0210
2个N沟道 耐压:100V 电流:2.8A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 有绿色环保器件。 低导通电阻Rds(on)。 超低栅极电荷。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB0210
- 商品编号
- C5128202
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSK10N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSK10N06符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进沟槽MOS技术
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供环保器件
- 低导通电阻Rds(on)
- 超低栅极电荷
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 硬开关和高速电路