温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSBA3086
1个N沟道 耐压:30V 电流:230A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 100% UIS测试。先进的沟槽技术。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3086
- 商品编号
- C5128204
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.427nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SQD70140EL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源