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HSBA0056
1个N沟道 耐压:100V 电流:32A
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- 描述
- 特性：100% EAS Guaranteed。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 RoHs和无卤合规。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0056
- 商品编号
- C5128206
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 849pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 100%保证EAS
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS和无卤标准
- 先进的SGT MOS技术
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 硬开关和高速电路
- HSBA6224
- CP1-11G-10 24V
- C2SS1-10R-20
- NUC972DF71YC
- EGW2DM1R5E09C33T
- ERJ1AM101D11C33T
- EGW2DM120F09C33TS3
- EGD2GM1ROE09C33T
- EGS2WM100G14B50T
- EH71AM101D07P50T
- ERS1VM101E12B25T
- ERF1VM471G14B50T
- ERS1HM220D12C60T
- EGD2GM2R2E12B25T
- EWK1VM471G16B50T
- EGW2WM330W25C36T
- EWH2GM6R8F09OT
- ERR1AM471E12C33T
- EGW2DM180G12C33T
- ERR1HM220D11B20T
- EWH2WM100G16B50T