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HSBA0056
1个N沟道 耐压:100V 电流:32A
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- 描述
- 特性：100% EAS Guaranteed。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 RoHs和无卤合规。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0056
- 商品编号
- C5128206
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 37.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 849pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。高阈值电压（Vth）系列专为栅极驱动电压大于10V的高压系统进行了优化。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
-开关模式电源-电机驱动器-电池保护-DC-DC转换器-太阳能逆变器-UPS和能量逆变器
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