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HSBA6224
2个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- HSBA6224 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA6224 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6224
- 商品编号
- C5128207
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.427nF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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