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HSU50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:55A
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- 描述
- HSU50N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU50N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU50N06
- 商品编号
- C5128197
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.823nF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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起订量：5 个2500个/圆盘
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