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HSBB4752
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- HSBB4752是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB4752符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具备抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB4752
- 商品编号
- C5128199
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 表面贴装封装
- 先进沟槽单元设计
应用领域
- 液晶电视设备
- 高功率逆变器系统
- 液晶显示器模块设备