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HSK10N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- HSK10N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSK10N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试保证，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK10N06
- 商品编号
- C5128195
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.427nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 226pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |