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HSM8P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- HSM8P10 是一款高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。HSM8P10 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% EAS 保证，并已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM8P10
- 商品编号
- C5128196
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制
- 电源管理功能
- 模拟开关