- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BST82,235
1个N沟道 耐压:100V 电流:190mA
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BST82,235
- 商品编号
- C549772
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用TrenchMOSTM1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
-TrenchMOSTM技术-开关速度极快-逻辑电平兼容-超小型表面贴装封装
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-逻辑电平转换器